ສະຫະລັດພັດທະນາວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງເພື່ອສະກັດກັ້ນຄວາມຮ້ອນຂອງຊິບ.
ດ້ວຍການເພີ່ມຂື້ນຂອງຈໍານວນ transistors ໃນຊິບ, ການປະຕິບັດຄອມພິວເຕີ້ຂອງຄອມພິວເຕີ້ສືບຕໍ່ປັບປຸງ, ແຕ່ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງຍັງເຮັດໃຫ້ເກີດຈຸດຮ້ອນຫຼາຍ.
ໂດຍບໍ່ມີເຕັກໂນໂລຊີການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫມາະສົມ, ນອກເຫນືອໄປຈາກການຊ້າລົງຄວາມໄວການດໍາເນີນງານຂອງໂຮງງານຜະລິດແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ຍັງມີເຫດຜົນເພື່ອປ້ອງກັນການ overheating ແລະຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີພະລັງງານເພີ່ມເຕີມ, ສ້າງບັນຫາການຂາດປະສິດທິພາບພະລັງງານ.ເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫານີ້, ມະຫາວິທະຍາໄລຄາລິຟໍເນຍ, ລອສແອງເຈລິສໄດ້ພັດທະນາວັດສະດຸ semiconductor ໃໝ່ ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງທີ່ສຸດໃນປີ 2018, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍ boron arsenide ແລະ boron phosphide ທີ່ບໍ່ມີຂໍ້ບົກພ່ອງ, ເຊິ່ງຄ້າຍຄືກັບວັດສະດຸລະບາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ມີຢູ່ເຊັ່ນ: ເພັດແລະຊິລິໂຄນ carbide.ອັດຕາສ່ວນ, ມີຫຼາຍກ່ວາ 3 ເທົ່າຂອງການນໍາຄວາມຮ້ອນ.
ໃນເດືອນມິຖຸນາ 2021, ມະຫາວິທະຍາໄລຄາລິຟໍເນຍ, ລອສແອງເຈລີສ, ໄດ້ນໍາໃຊ້ວັດສະດຸ semiconductor ໃຫມ່ເພື່ອສົມທົບກັບຊິບຄອມພິວເຕີພະລັງງານສູງເພື່ອສະກັດກັ້ນການຜະລິດຄວາມຮ້ອນຂອງຊິບ, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງການເຮັດວຽກຂອງຄອມພິວເຕີ.ທີມວິໄຈໄດ້ໃສ່ boron arsenide semiconductor ລະຫວ່າງຊິບແລະຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນເປັນການປະສົມປະສານຂອງຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນແລະຊິບເພື່ອປັບປຸງຜົນກະທົບການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ, ແລະດໍາເນີນການຄົ້ນຄ້ວາກ່ຽວກັບການປະຕິບັດການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນຂອງອຸປະກອນຕົວຈິງ.
ຫຼັງຈາກການເຊື່ອມສານ substrate boron arsenide ກັບຊ່ອງຫວ່າງພະລັງງານກ້ວາງ gallium nitride semiconductor, ມັນໄດ້ຖືກຢືນຢັນວ່າການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງການໂຕ້ຕອບຂອງ gallium nitride / boron arsenide ແມ່ນສູງເຖິງ 250 MW / m2K, ແລະຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຂອງການໂຕ້ຕອບໄດ້ບັນລຸລະດັບຂະຫນາດນ້ອຍທີ່ສຸດ.ແຜ່ນຍ່ອຍຂອງ boron arsenide ໄດ້ຖືກລວມເຂົ້າກັນຕື່ມອີກກັບຊິບ transistor ເຄື່ອນທີ່ຂອງເອເລັກໂຕຣນິກສູງທີ່ປະກອບດ້ວຍອາລູມິນຽມ gallium nitride/gallium nitride, ແລະມັນໄດ້ຖືກຢືນຢັນວ່າຜົນກະທົບການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນດີກວ່າຂອງເພັດຫຼືຊິລິໂຄນຄາໄບ.
ທີມງານຄົ້ນຄ້ວາໄດ້ດໍາເນີນການຊິບຢູ່ໃນຄວາມສາມາດສູງສຸດ, ແລະວັດແທກຈຸດຮ້ອນຈາກອຸນຫະພູມຫ້ອງເຖິງອຸນຫະພູມສູງສຸດ.ຜົນການທົດລອງສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າອຸນຫະພູມຂອງຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນເພັດແມ່ນ 137 ອົງສາ C, ຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນຊິລິຄອນຄາໄບອັນສູງສຸດແມ່ນ 167 ອົງສາ C, ແລະເຄື່ອງລະບາຍຄວາມຮ້ອນໂບຣອນອາເຊໄນມີພຽງ 87 ອົງສາ.ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດຂອງການໂຕ້ຕອບນີ້ແມ່ນມາຈາກໂຄງສ້າງແຖບ phononic ເປັນເອກະລັກຂອງ boron arsenide ແລະການເຊື່ອມໂຍງຂອງການໂຕ້ຕອບ.ວັດສະດຸ boron arsenide ບໍ່ພຽງແຕ່ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ແຕ່ຍັງມີຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນໃນການໂຕ້ຕອບຂະຫນາດນ້ອຍ.
ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນເພື່ອບັນລຸພະລັງງານປະຕິບັດງານຂອງອຸປະກອນທີ່ສູງຂຶ້ນ.ມັນຄາດວ່າຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນການສື່ສານໄຮ້ສາຍທີ່ມີຄວາມຈຸສູງໃນໄລຍະຍາວ, ຄວາມສາມາດສູງໃນອະນາຄົດ.ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນພາກສະຫນາມຂອງເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານຄວາມຖີ່ສູງຫຼືການຫຸ້ມຫໍ່ເອເລັກໂຕຣນິກ.
ເວລາປະກາດ: ສິງຫາ-08-2022